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元件参数资料
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参数目录41597
> FDT3612 MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT-223
型号:
FDT3612
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Fairchild Semiconductor
描述:
MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT-223
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
FDT3612 PDF
产品培训模块
High Voltage Switches for Power Processing
标准包装
1
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
3.7A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
120 毫欧 @ 3.7A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
20nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
632pF @ 50V
功率 - 最大
1.1W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-261-4,TO-261AA
供应商设备封装
SOT-223-4
包装
标准包装
其它名称
FDT3612DKR
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